氧化物忆阻器材料及其阻变机理研究进展

发布时间：2017-11-13 18:03

  本文关键词：氧化物忆阻器材料及其阻变机理研究进展

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【摘要】：忆阻器是目前材料和电子领域的研究前沿和热点,氧化物材料在忆阻器研究中具有重大价值。本文综述了近年来研究较多的几种典型氧化物忆阻器材料,包括TiO_2、SiO_x、HfO_x、Al_2O_3、ZnO、ZrO_2、TaOx以及ZnSnO_3等,并介绍了导电细丝机制、氧化还原机制、边界迁移机制以及相变机制等四种常见的阻变机理,展望了未来忆阻器材料研究的方向与重点。
【作者单位】： 国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室;
【分类号】：TN604;;TM54
【正文快照】： 忆阻器(Memristor),又名记忆电阻(Memoryresistors),是一种被动电子元件,与电阻不同的是,忆阻器在关掉电源后,仍能“记忆”先前通过的电荷量。最初于1971年,加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠(Leon Chua)根据电子学理论中电路四大基本变量电荷Q、磁通?、电压V、电流I的排

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