衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究

发布时间：2017-11-13 21:06

  本文关键词：衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究

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【摘要】：利用自主生长的SiC外延材料,采用晶圆快速减薄与激光退火工艺结合研制600V/30ASiC肖特基二极管。先完成正面工艺,然后贴膜保护正面,SiC外延材料快速减薄到180μm左右,蒸发Ni之后采用激光退火工艺完成背面欧姆的制作,最后溅射TiNiAg完成SiC器件的研制。减薄完的晶圆比不减薄的晶圆正向压降Vf降低了0.15V,电流密度增大了近100%,器件的反向特性基本保持不变。
【作者单位】： 宽禁带半导体电力电子器件国家重点研究室;南京电子器件研究所;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
【分类号】：TN315
【正文快照】： 引言SiC是第三代半导体材料的核心之一,与Si、GaAs相比,SiC具有间隙宽、热导率高、电子饱和迁移率大、化学稳定性好的优点,因此被用于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成电子器件[1]。SiC结型肖特基势垒(Junction barrier Schottky,JBS)二极管作为一种单极器件具有较

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本文编号：1182380