氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势

发布时间：2017-11-17 08:36

  本文关键词：氮化镓晶片的CMP技术现状与趋势

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【摘要】：综述了半导体材料氮化镓(Ga N)抛光技术的发展,介绍了Ga N晶片化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization,CMP)技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了CMP亟待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十五研究所;
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 氮化镓(Ga N)是继第一代半导体材料(Ge、Si)、第二代半导体材料(Ga As、In P等)之后发展起来的第三代半导体材料,具有大的禁带宽度、高饱和度电子漂移速度、高击穿电场强度、高热导率、低介电常数和抗辐射能力强等优良的特性,在高温、高频率、大功率、抗辐射及短波长电子器件

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 应磊莹;刘文杰;张江勇;胡晓龙;张保平;;激光剥离GaN表面的抛光技术[J];半导体技术;2014年10期

【二级参考文献】

中国期刊全文数据库 前2条

1 颜怀跃;修向前;刘战辉;张荣;华雪梅;谢自力;韩平;施毅;郑有p，

本文编号：1195445