碳化硅薄膜的力学性能理论研究

发布时间：2017-11-17 17:19

  本文关键词：碳化硅薄膜的力学性能理论研究

  更多相关文章： SiC薄膜 ANSYS数值模拟 刚度 缺陷 温度

【摘要】：目前,SiC薄膜在极端苛刻环境下的力学性质尚不明确,相关力学参数仍需进一步研究。文章采用模拟软件ANSYS对微尺寸的SiC薄膜在不同条件下的力学性能进行了理论分析。研究了SiC薄膜的面积和厚度对刚度的影响,结果表明,其刚度与薄膜面积成反比,与薄膜厚度的三次方成正比。其次,研究了材料中缺陷的尺寸及其位置对SiC薄膜力学性能的影响,模拟结果表明,缺陷的位置越接近薄膜中心,对刚度的影响越大;缺陷的尺寸越大,密度越高,薄膜的刚度越小。根据实验测得高温下杨氏模量数据,模拟计算发现SiC薄膜的刚度在290~2 500K范围内,随温度升高呈准线性下降趋势。
【作者单位】： 南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室;南京电子器件研究所;
【基金】：国家重点研发计划项目(2016YFB0400100) 国家“863”计划项目(2014AA032605,2015AA033305) 国家自然科学基金项目(61605071,61674076,61274003,61422401,51461135002,61334009) 江苏省自然科学基金项目(BY2013077,BK20141320,BE2015111) 固态照明与节能电子学协同创新中心项目 江苏省重点学科资助计划项目 南京大学扬州光电研究院研发基金项目
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： 0引言碳化硅(SiC)材料被称为第三代半导体材料,具有禁带宽度大、硬度高、高温稳定性好、导热系数较大以及抗腐蚀能力强等特性[1-2]。在电学性能方面,SiC材料具有较高的耐击穿场强、较高的饱和电子漂移速度等优势,使其能够在高压、高温和高频环境下工作。这些优越的特性使得SiC

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本文编号：1196804