石墨烯场效应管制备的关键工艺研究

发布时间：2017-11-17 21:26

  本文关键词：石墨烯场效应管制备的关键工艺研究

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【摘要】：近年来,石墨烯因其独特的物理化学性质备受关注,但石墨烯的零带隙结构,限制了它在光电领域方面的应用。研究了石墨烯场效应管制备的关键工艺,即用石墨烯图形化打开其带隙,并在1 cm×1 cm的石墨烯薄膜上制备出大规模、多尺寸的微结构石墨烯场效应管。通过对石墨烯场效应管关键工艺的优化研究,如石墨烯的无损转移、石墨烯条带的刻蚀、光刻胶的选择、金属蒸镀以及退火等工艺,为石墨烯场效应管的进一步研究提供了可靠的工艺参考。
【作者单位】： 重庆理工大学光电信息学院;河南理工大学电气工程与自动化学院;
【基金】：重庆理工大学研究生创新基金资助项目(No.YCX2014221)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 随着硅基半导体技术的飞速发展,硅基电子器件的集成面临尺寸不断缩小的瓶颈,是下一代超大规模集成电路发展中的一项巨大挑战[1]。石墨烯独特的电子性质有望成为下一代集成电路材料。石墨烯是单原子层厚度的碳原子紧密排列而成的零带隙的二维平面晶体材料[2],其价带与导带相交

【参考文献】

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【共引文献】

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2 张玉龙;张艳;蒋书森;;一种获得纳米间隙电极的接触光刻方法[J];微纳电子技术;2013年08期

【二级参考文献】

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