原子层沉积技术发展概况

发布时间：2017-11-18 14:04

  本文关键词：原子层沉积技术发展概况

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【摘要】：随着原子层沉积(ALD)工艺技术的不断创新和发展,不同的ALD工艺在各具发展优势的同时,也面临很多问题和挑战。介绍了ALD工艺的发展历程,包括热原子层沉积(T-ALD)、等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)、空间原子层沉积(SALD)及在SALD基础上发展起来的Roll-toroll原子层沉积和大气压原子层沉积(a ALD)。分析表明,a ALD技术与等离子体技术的结合能够提高沉积速率、降低沉积温度并更利于实现大规模工业化生产,为ALD技术在纳米电子器件、光伏电池及柔性电子器件等领域中的应用提供了更多的契机。
【作者单位】： 北京印刷学院等离子体物理及材料研究室;
【分类号】：TN60
【正文快照】： osition;plasma enhanced;atmosphere pressure;continuous production20世纪70年代,原子层沉积(ALD)作为一种极具吸引力的薄膜涂层方法而出现[1]。ALD是一种表面自限制的薄膜生长技术,单层原子的一层一层沉积使得ALD能够在纳米范围内对薄膜厚度进行精确控制,沉积的薄膜具有很

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本文编号：1200020