亚波长光栅对微机电系统波长可调谐垂直腔面发射激光器的影响

发布时间：2017-11-20 17:25

  本文关键词：亚波长光栅对微机电系统波长可调谐垂直腔面发射激光器的影响

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【摘要】：将增透亚波长光栅分别置于微机电系统(MEMS)波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)的内腔、上分立布拉格反射器(DBR)的上表面和下表面,分析了其对器件波长调谐范围、驻波场和谐振腔波长的影响。通过建模计算可知,当亚波长光栅置于MEMS波长可调谐VCSEL的内腔中时,波长调谐量最大,可达54nm;光栅置于上DBR的上表面和下表面时,波长调谐量仅能达到40nm和33nm。通过分析驻波场可以发现,当亚波长光栅置于上DBR的上表面时,有源区能量占总能量的0.36%,而置于上DBR的下表面和内腔时分别为0.08%和0.02%。比较三种结构的谐振腔波长可以发现,对于光栅在内腔和上DBR的下表面时,横电(TE)和横磁(TM)偏振对应的谐振腔波长分别出现了8.3nm和10.1nm的分离,而光栅放置在上DBR的上表面时两个偏振波长并没有偏离,由此可知,光栅在内腔和上DBR的下表面实现偏振稳定原理与光栅在上DBR的上表面时是不同的。
【作者单位】： 衢州职业技术学院信息工程学院;北京工业大学电子信息与控制工程学院;
【分类号】：TN248.4
【正文快照】： 1 引言 自1977年日本学者伊贺健一首次提出垂直腔面发射激光器(VCSEL)以来,VCSEL由于具有阈值小、易于与光纤耦合、体积小、高相干度阵列集成等特点,受到了广泛的关注与应用[1-5]。与传统边发射激光器相比,其无需解理封装即可直接在片测试分析,大大降低了制造成本。 VCSEL具

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