905nm隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器

发布时间：2017-11-21 06:31

  本文关键词：905nm隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器

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【摘要】：通过对有源区、波导层、限制层和隧道结的分析,设计了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)系统外延法生长了器件,并经过光刻、腐蚀、解理和焊装等工艺,制备了激射波长为905nm的隧道带间级联非耦合双有源区半导体激光器。腔面未镀膜时,在1.2A的脉冲注入电流下,器件的峰值波长为904.4nm,垂直远场为单峰,发散角为25.8°,表明两个有源区的光场未发生耦合,斜率效率为1.12 W/A,为相同结构单有源区器件的1.9倍。
【作者单位】： 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;
【基金】：北京市教委能力提升(PXM2014 014204 07 000018)的资助项目
【分类号】：TN248.4
【正文快照】： 1引言为了提高半导体激光器的光输出功率,传统的方法是提高注入电流,但注入电流的提高会引起器件内部产生的热量大幅度增长,从而导致器件的烧毁;采用分立管芯叠层烧结[1]的方法将多个半导体激光器串联也可以达到提高光功率密度的效果,但由于管芯厚度的原因,使激光器的输出功率

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本文编号：1210022