寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究

发布时间：2017-11-28 08:25

  本文关键词：寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究

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【摘要】：为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(Si C)MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的Si C MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对Si C MOSFET栅源极电压的影响。
【作者单位】： 北京交通大学电气工程学院;
【分类号】：TN386
【正文快照】： 0引言新型宽禁带半导体器件碳化硅(Silicon Carbide,Si C)MOSFET以其高速开关能力、低通态电阻、高结温、高耐压等特点[1-4]得到广泛应用。其优良的开关性能有利于减小开关损耗及死区时间,提高开关频率,减小变换器中无源元件的体积,有效提高变换器的功率密度[5-8]。而随着开关

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本文编号：1233335