极紫外光刻动态气体锁抑制率的理论研究

发布时间：2017-11-29 17:03

  本文关键词：极紫外光刻动态气体锁抑制率的理论研究

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【摘要】：从理论上系统性地研究了动态气体锁抑制率,提出了动态气体锁理论分析模型。通过理论分析推导出单组分和多组分清洁气体在等截面或者变截面条件下的动态气体锁抑制率解析表达式,并对单组分清洁气体在等截面和变截面条件下的动态气体锁抑制率进行了比较。研究结果表明,当抑制率为85%以上时,可以近似地使用等截面假设来计算动态气体锁抑制率,且应以清洁气体出口处截面面积作为动态气体锁平均截面面积;动态气体锁抑制率与动态气体锁结构以及清洁气体相关量值有关,当给定动态气体锁结构和扩散系数时,动态气体锁抑制率随着向硅片台腔室扩散的气体体积流量的增大而增大。该动态气体锁抑制率理论研究体系,能够为极紫外(EUV)光刻机动态气体锁的研制提供理论依据。
【作者单位】： 中国科学院光电研究院;
【基金】：国家科技重大专项(2012ZX02702007)
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 1引言随着集成电路的进一步发展,波长为13.5nm的极紫外(EUV)光刻技术成为研究热点,国际半导体行业已经将EUV光刻作为22nm或16nm分辨率节点大规模集成电路生产的候选光刻技术[1-2]。EUV光刻机由EUV光源、收集镜、照明系统、掩模台、投影物镜系统和硅片台等部分组成[3]。因为空

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本文编号：1237445