激光直写多层光刻样品定位准确度的研究

发布时间：2017-11-30 19:43

  本文关键词：激光直写多层光刻样品定位准确度的研究

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【摘要】：利用磁控溅射法制备了铁钴合金薄膜,并采用电感耦合等离子体发射光谱仪、多晶X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜对沉积薄膜的成分、晶体结构和微观形貌进行了测试和分析。针对DWL66FS型激光直写仪自带定位工具定位销使用时的缺点,设计了"L"形样品定位工具L夹尺。利用高倍光学显微镜对比分析研究了两种定位技术在激光直写多层光刻铁钴合金薄膜时定位的准确度。结果发现,使用L夹尺对多层光刻样品定位的准确度明显优于仪器自带的定位销。
【作者单位】： 兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室物理科学与技术学院;
【基金】：兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题(MMM2014014) 高等学校仪器设备和优质资源共享系统项目管理中心项目(CERS-1-89)经费支持
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 0引言光刻技术作为半导体行业的“核心工艺”,一直是目前科学研究和工业应用的热点领域[1-3]。激光直写技术作为一种重要的微光刻技术,具有精度高、无需掩膜版一次成型、光刻效率高以及通过多层光刻可以直接制作二元光学元件等特点,广泛应用于光刻设备中[4-7]。德国海德堡公司

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本文编号：1240292