抗干扰高线性射频前端设计
本文关键词:抗干扰高线性射频前端设计
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【摘要】:为抑制干扰和提高电路的线性,采用0.13μm RF CMOS工艺设计了一款无需声表滤波器的射频前端电路系统.该设计采用一种新的带干扰消除环路可变增益低噪声跨导放大器、25%占空比本振信号的无源混频器和互阻放大器架构来实现抗干扰、低噪声、高线性的射频前端.流片和测试结果表明:该电路抑制带外强干扰达20 d B以上,在2.4 GHz可实现44.98 d B增益和2.03 d B噪声系数,同时获得-7 d Bm的输入三阶互调截点和+72 d Bm的输入二阶互调截点,实现了无需声表滤波器和抗干扰特性;整个射频前端供电电压为1.2 V,功耗为36 m A.
【作者单位】: 华南理工大学电子与信息学院;
【基金】:广东省经济和信息化委员会重大专项(2011912004) 广东省产学研结合项目(2011A090200106) 广东省高新技术产业开发区发展引导专项(2011B010700065)~~
【分类号】:TN432
【正文快照】: Foundation items:Supported by the Economic and Information Commission Major Program of Guangdong Province(2011912004),the Guangdong Industry-University-Research Collaboration Project(2011A090200106)and the Hi-Tech Zone Development and GuideSpecial Projec
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,本文编号:1244313
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