GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备

发布时间：2017-12-03 11:20

  本文关键词：GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备

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【摘要】：首先利用电流路径模型分析n型电极尺寸及间距等对垂直结构发光二极管(VS-LEDs)电流分布均匀性的影响,依此设计出一种螺旋状环形结构电极。其次,通过建立有限元分析软件Comsol仿真模型模拟VSLEDs有源层的电流密度分布,发现螺旋状环形结构电极的环间距越小,电流密度分布越均匀。最后,利用VS-LEDs芯片制备技术实现具有螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片。实验结果显示,在350 m A电流驱动下,电极环间距为146.25μm的芯片具有最大的功能转换效率,达到26.8%。
【作者单位】： 华南理工大学广东省光电工程技术研究中心物理与光电学院;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609) 国家自然科学基金(61404050) 广东省战略性新兴产业专项资金(2012A080302003) 中央高校基本科研业务费(2014ZM0036)资助项目
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 1引言氮化镓(Ga N)基发光二极管(LED)自问世以来,得到了飞速的发展,广泛应用于交通信号、建筑装饰、全彩显示、背光源、汽车前照灯以及室内外照明等领域[1-2]。传统结构Ga N基LED芯片通常是指在蓝宝石衬底上制备的n型和p型电极分布于同侧的一种芯片[3]。由于蓝宝石衬底的电绝

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本文编号：1248530