第三代半导体材料应用及制造工艺概况

发布时间：2017-12-05 06:16

  本文关键词：第三代半导体材料应用及制造工艺概况

  更多相关文章： 半导体材料 碳化硅 氮化镓 制造工艺

【摘要】：对当前的第三代半导体材料的基本特性及应用领域进行研究,报告了Si C和Ga N材料的应用现状和发展趋势,并对其制造工艺进行了简要阐述。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十五研究所;
【分类号】：TN304
【正文快照】： 曾经“中流砥柱”的硅功率器件已日趋其材料发展的极限,难以满足当今社会发展对于高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化的新需求。以Si C为代表的第三代半导体材料凭借其优异属性,已成为突破口,正在迅速崛起。第三代半导体材料作为新兴半导体材料,如Ga N和Si

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前9条

1 ;第三代半导体或将引发又一次照明革命"[J];覆铜板资讯;2014年01期

2 李嘉席,孙军生,陈洪建,张恩怀;第三代半导体材料生长与器件应用的研究[J];河北工业大学学报;2002年02期

3 陈裕权;第三代半导体材料的发展及应用[J];世界产品与技术;2000年05期

4 张冀;GaN-第三代半导体的曙光[J];新材料产业;2000年05期

5 宋登元,王秀山;GaN材料系列的研究进展[J];微电子学;1998年02期

6 雷通;王小平;王丽军;张雷;吕承瑞;王隆洋;;第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用[J];材料导报;2009年01期

7 梁春广,张冀;GaN——第三代半导体的曙光[J];半导体学报;1999年02期

8 李国强;第三代半导体材料——二十一世纪IT产业新的发动机[J];新材料产业;2002年06期

9 ;[J];;年期

，

本文编号：1253853