一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计

发布时间：2017-12-05 07:41

  本文关键词：一种高电源抑制低温漂带隙基准电路设计

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【摘要】：基于CSMC 0.5μm BCD工艺,设计了一种应用于片上系统(SOC)芯片的低温漂高电源抑制的带隙基准电路.采用一种带有负反馈环路调整型的电压预调整电路,并且将基准电压形成于负反馈环路,基准电路的电源抑制特性得到显著提高.仿真得到的电源抑制比分别为-177.6dB@dc,-82.7dB@1MHz.此电路可以在-55~125℃范围内实现较小的温度系数,温度系数为5.76×10-6/℃.
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【分类号】：TN402
【正文快照】： 1引言随着集成电路尺寸的不断缩小以及便携式移动电子产品的需求的迅猛增加[1],片上系统(SOC)的应用成为当今发展的趋势.SOC芯片把对电源噪声敏感的模拟电路以及极易产生电源噪声的高速数字电路、开关电容电路集成在同一块芯片上[2],使得数字电路产生的噪声极易影响模拟电路的

【参考文献】

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【相似文献】

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本文编号：1254059