一种低电压低功耗高PSRR CMOS基准电路

发布时间：2017-12-06 02:17

  本文关键词：一种低电压低功耗高PSRR CMOS基准电路

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【摘要】：设计了一种工作在亚阈值区的高精度、低电压、低功耗CMOS基准电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,在1.2V电源电压下,输出202mV的基准电压,在-40℃~130℃范围内的温度系数为6.5×10-5/℃,消耗2.46μA电流。电源电压从1.1V变化到3.6V时,输出基准电压仅变化0.336mV。该基准电路的电源电压抑制比(PSRR)在直流处达到-93dB,10MHz处达到-63dB。设计了一种多路快速启动电路,只需13μs即可完成启动。利用高阈值电压晶体管与普通阈值电压晶体管的Vth之差作为负温度系数电压源,使输出基准电压对工艺角不敏感。
【作者单位】： 华东师范大学微电子电路与系统研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61306034,61302005) 上海市科委资助项目(14DZ2260800)
【分类号】：TN432
【正文快照】： 1引言近年来,依靠电池供电的便携式电子设备(如手机、笔记本电脑和数码相机等)的广泛应用使得低电压和低功耗成为现代集成电路设计的两个重要标准。基准电路作为模拟和混合信号系统的关键模块之一,需要满足电压低、功耗低、对电源与温度的依赖性低等要求。在基于二极管和双极

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本文编号：1257018