TFT光刻DICD均一性改善优化

发布时间：2017-12-11 10:35

  本文关键词：TFT光刻DICD均一性改善优化

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【摘要】：为了对TFT((Thin Film Transistor)光刻DICD(Develop Inspection Critical Dimension)均一性进行改善,分析了光刻DICD存在差异性的原因,并建立了改善循环流程。对循环流程改善原理及方法进行说明。首先,根据处于光刻系统最佳焦平面位置光刻胶吸收光强最大,DICD最小(DICD_(min))原则,提出了调整光刻平面,使其与系统最佳焦平面趋势一致,可减小DICD差异性。接着,计算出各光刻区域与最佳焦平面位置处的DICD差值(DICD-DICD_(min)),并通过结合光刻区域台板平坦度,判断DICD-DICD_(min)各差值的正负性。然后,采用最小二乘法对光刻区域DICD-DICD_(min)进行平面方程拟合,该平面即为光刻趋势平面,并反映了光刻平面与光刻系统最佳焦平面的差异。最后,以此平面方程作为光刻机台板高度调整平面方程,并对光刻区域台板高度进行调整,从而使得实际光刻平面趋于系统最佳焦平面。结果表明:该方法连续实验3次,DICD均一性可改善30%以上。
【作者单位】： 合肥京东方光电科技有限公司;
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 1 引言 随着对薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)分辨率要求的不断提高,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,以下简称TFT)器件的线宽和间距趋于更细、更窄[1],经光刻工艺后形成的光刻胶线宽宽度(Develop Inspection Critical Dimension,DICD)的工艺窗口也越来越小[2],TFT DICD管

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1 李志勇，朱文辉，程经毅，周光泉，，郭大浩;用激光冲击波无损评估材料内部的均一性[J];应用激光;1996年04期

本文编号：1278157