表面残留颗粒对晶圆键合影响机制的研究

发布时间：2017-12-12 18:38

  本文关键词：表面残留颗粒对晶圆键合影响机制的研究

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【摘要】：着重分析了晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响,并从表面残留颗粒统计意义的角度,得到了一个晶圆键合的判定标准。为了改善键合界面出现的气泡问题,一种基于点压技术的新型点压键合法被应用到整片键合中,并和传统的金金热压键合法进行了比较。实验表明,采用点压键合法能够有效抑制晶圆表面残留颗粒对晶圆键合的影响。
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心;中国科学院微电子研究所智能感知研发中心;
【基金】：国家科技重大专项项目(2011ZX02708-003)
【分类号】：TN305
【正文快照】： 0引言晶圆键合指的是黏合各种以半导体材料为衬底晶圆的工艺过程。随着近几十年半导体产业持续高速的发展,晶圆键合技术在半导体制造领域受到了越来越广泛的关注。通常来说,晶圆键合作为一项关键性的技术应用在绝缘体上硅(SOI)材料的制备、微电子机械系统(MEMS)结构的3D集成以

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本文编号：1283568