不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

发布时间：2017-12-14 14:05

  本文关键词：不同双栅极设计对a-Si:H TFT特性影响

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【摘要】：本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下,通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升I_(on)7%、降低SS 3%、同时对I_(off)以及TFT稳定性影响不明显,显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下,达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极TFT特性不如底栅极,推测为a-Si/PVX界面不佳使得电子导通困难导致,未来可以借由改善a-Si/PVX界面工艺提升顶栅极TFT特性。
【作者单位】： 合肥鑫晟光电科技有限公司;
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： (Xingsheng Optoelectronics Technology Co.,Ltd,Hefei 230012,China)1引言非晶硅薄膜晶体管液晶显示(a-Si TFTLCD)是当今平板显示(FPD)技术的主流,a-Si TFT元件作为Array阵列开关对于LCD显示质量有重要的影响,是优化改善的重点方向,其中高开口率高级超维场转换技术(high ape，

本文编号：1288153