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PSS侧壁弧度优化及对GaN基LED出光效率的影响

发布时间:2017-12-17 21:08

  本文关键词:PSS侧壁弧度优化及对GaN基LED出光效率的影响


  更多相关文章: 图形化蓝宝石衬底(PSS) 侧壁 氮化镓(GaN) 发光二极管(LED) 出光效率


【摘要】:为进一步提高基于图形化蓝宝石衬底(PSS)技术的氮化镓(GaN)基LED的出光效率,针对PSS微结构的侧壁弧度进行了优化设计。研究实验采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,通过优化三氟甲烷(CHF3)和三氯化硼(BCl3)气体体积流量比,实现了对微结构侧壁弧度的有效调控。此外,对各种类型GaN基LED芯片的光学特性进行了测试表征,并结合蒙特卡罗光线追迹方法模拟了PSS微结构的侧壁弧度变化对LED轴向、侧面和总出光效率的影响。实验和理论模拟结果表明,微结构的侧壁弧度对LED出光效率有显著影响,当微结构侧壁中心到内接圆锥侧壁中心的距离为(150±10)nm时,LED的出光效率将进一步提高8.9%。
【作者单位】: 中山大学电子与信息工程学院;东莞市中镓半导体科技有限公司;
【基金】:国家自然科学基金资助项目(61327801) 工业和信息化部电子信息产业发展基金资助项目(工业和信息化部财[2013]472号) 广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)
【分类号】:TN312.8
【正文快照】: 0引言虽然发光二极管(LED)早已实现产业化,但距离真正意义上的固态照明尚存在一定差距,主要表现在白光LED亮度偏低且成本昂贵。获得白光LED的主要技术路线是基于GaN基蓝光LED芯片激发黄光荧光粉形成白光,故进一步提高GaN基蓝光LED芯片的出光效率是目前的发展趋势,也是国内外研

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本文编号:1301535

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