功率MOSFET寿命模型综述

发布时间：2017-12-19 08:14

  本文关键词：功率MOSFET寿命模型综述

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【摘要】：MOSFET是实现电力电子装置功能的核心器件,但其寿命短是制约电力电子系统可靠性的关键因素。由老化造成的MOSFET失效分为封装失效和参数漂移失效,前者由MOSFET制造工艺及材料导致的缺陷在工作环境中恶化而产生,后者为器件在使用过程中其内部微观退化机制在宏观参数的体现。对目前已有的MOSFET寿命相关的研究成果进行总结,分析了MOSFET的各类失效模式,并建立了各类失效模式下MOSFET寿命模型;并进一步总结了各类失效模式下寿命模型的失效判据及其各类寿命预测模型实验验证方法。
【作者单位】： 武汉大学电气工程学院;
【基金】：国家自然科学基金重点资助项目(51637007);国家自然科学基金资助青年项目(51507118)~~
【分类号】：TN386
【正文快照】： 引言 金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)具有电阻低、驱动耗散功率小等特点,其高频特性更是满足了逆变器的需求,在中小功率等级电能转换被广泛应用,是实现电力电子装置基本功能的核心器件[1]。Si C技术的出现进一步扩

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1 蔡少英;元器件寿命模型(摘要)[J];电子产品可靠性与环境试验;1995年04期

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本文编号：1307507