宽带隙异质结二极管恢复特性的数值模拟及测试

发布时间：2017-12-19 20:07

  本文关键词：宽带隙异质结二极管恢复特性的数值模拟及测试　出处：《温州大学》2016年硕士论文　论文类型：学位论文

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【摘要】：本文旨在运用计算机建模、仿真技术进行研究宽带隙二极管的正向恢复特性特性、正向I-V特性,以及运用计算机技术设计一款适用、精确度高、智能化的二极管反向恢复时间测试系统。具体安排如下:首先运用Matlab模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向恢复过程。分析了异质结的外因(外加电流变化率、温度等)及内因(N区掺杂浓度、电子迁移率等)对异质结正向恢复峰值电压和正向恢复时间的影响,对比了GaN/6H-SiC、GaN/4H-SiC、GaN/3C-SiC三种异质结的正向恢复过程。结果表明,前述内、外因素对GaN/SiC异质结的正向恢复特性有明显影响,可通过调节各参数以优化GaN/SiC异质结的正向恢复过程。然后利用Matlab模拟仿真了GaN/SiC异质结的正向I-V特性。分析了温度对正向C-V特性的影响,同时分析了温度、P区掺杂浓度和P区载流子电子的寿命对异质结正向I-V特性的影响。模拟结果表明,当外加正向电压较大(约2V)时,正向电流主要取决于由N区向P区注入的电子电流,同时温度等因素对GaN/SiC异质结的正向I-V特性有较大的影响,可通过调节各参数以优化GaN/SiC异质结的正向I-V特性。最后介绍了二极管的反向恢复时间trr测试系统。制定了二极管的反向恢复时间测试仪器的电路系统方案以及控制流程,参与完成二极管反向恢复时间测试系统的硬件电路。详细分析了各部分硬件电路的设计以及功能,并通过实验测试验证了测试系统的有效性(目前GaN/SiC异质结二极管实际成品并不存在,因此测试所用二极管均为其他二极管)。
【学位授予单位】：温州大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TN31;TP391.9

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本文编号：1309245