高增益参量过程中相干态和真空态输入下的干涉光刻研究

发布时间：2017-12-20 18:27

本文关键词：高增益参量过程中相干态和真空态输入下的干涉光刻研究　出处：《池州学院学报》2016年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：利用高增益参量放大器研究相干态和真空态输入下的干涉光刻性能。研究发现:相干态输入将降低光刻曝光函数的分辨率,而输入相干态的振幅和相位可以对干涉条纹可见度进行有效调控,尤其,增强相干光束的强度可以将可见度提高至接近100%。最后,详细讨论了相干态输入下的光刻分辨率未能打破瑞利衍射极限的可能原因。
【作者单位】：池州学院机电工程学院;
【基金】：安徽省大学生创新创业训练计划项目(201411306148)
【分类号】：TN722.31
【正文快照】： 1引言半导体工业的发展使得人们需要特征尺寸越来越小的集成电路块,集成密度将直接制约器件的运行性能,因而就需要通过提高印刷术获得更大的分辨率,进而达到增加运算速率、降低功耗的效用。光刻技术就是适应这一生产需要被广泛运用的印刷术之一[1-2]。在过去的几十年里,集成电

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