基于石墨烯场效应晶体管的研究进展

发布时间：2017-12-22 04:01

  本文关键词：基于石墨烯场效应晶体管的研究进展　出处：《半导体技术》2016年08期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下,石墨烯场效应晶体管(GFET)作为一种新型纳米器件受到广泛的关注。介绍了GFET的主要器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本的电特性。对比论述了4种石墨烯的带隙调控方法,得出化学掺杂法和量子限制法在调控石墨烯带隙方面比外加电场调节法和引入应力法更具有实用价值。重点探讨了几种GFET有源层石墨烯薄膜的制备方法:外延生长法、剥离法、化学气相沉积法(CVD)、氧化石墨烯还原法、旋涂法以及喷涂法,并对比分析了各种制备方法的优缺点。最后概述了GFET的应用前景和挑战。
【作者单位】： 汕尾职业技术学院电子信息系;华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心;华南理工大学电子与信息学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61076113) 广东省自然科学基金资助项目(2016A030313474)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 2.华南理工大学a.物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心;b.电子与信息学院,广州510640)0引言随着计算机网络技术和电子信息技术的高速发展,人类社会早已步入了信息化社会,而推进信息化社会不断发展的核心动力正是集成电路(IC)制造技术的不断发展。自1958年美国德州仪

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