GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征

发布时间：2017-12-24 08:17

  本文关键词：GaSb纳米线的CVD可控制备及其光学表征　出处：《化学学报》2016年10期 　论文类型：期刊论文

  更多相关文章： GaSb纳米线 可控制备 CVD法 VLS生长机制 光学性质

【摘要】：采用CVD法合成Ga Sb纳米线,并分析生长时间对其长度的影响,随后对其进行光学表征.实验过程中,分别采用喷金法和滴金法对硅片进行预处理,再置于相同条件下制备Ga Sb纳米线;之后对其进行表征分析,根据扫描电子显微镜(SEM)表征结果证实,两种方法制备的纳米线都满足VLS生长机制.且发现Ga Sb纳米线的生长长度,可以通过改变其生长时间来进行控制.通过该纳米线的透射电子显微镜图(TEM)、X射线衍射图(XRD)等结构表征,表明该纳米线为结晶品质优良的立方闪锌矿结构;同时,从Ga Sb纳米线的拉曼光谱(Raman)及光致发光谱(PL)可以反映该纳米线具有优良的光学性质.由此证明,采用CVD法制得的纳米线光学性质优异,且可以实现可控制备.
【作者单位】： 湖南大学物理与微电子科学学院;
【分类号】：TN304.2;TB383.1
【正文快照】： Received June 17,2016;published September 27,2016.1引言一直以来,作为一维纳米材料中的一个重要组成部分,半导体纳米线出色的光、电特性,使其在纳米电子和光电子器件制造领域发挥着巨大的应用潜能[1],其中,含Sb元素的III~V族纳米材料具有较大的波尔激子半径、较窄的禁带宽

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本文编号：1327552