Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷

发布时间：2017-12-24 20:18

  本文关键词：Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷　出处：《无机材料学报》2016年11期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体,并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征。结果表明,Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中,且掺杂浓度达到2.52′1018/cm3,伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏,掺杂浓度逐渐降低;生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化,并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长。用LEXT显微镜观察发现,生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多,位错密度增加,掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍。HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数,这将有利于提高与外延III族氮化物材料适配度,并改善器件的性能。
【作者单位】： 山东大学晶体材料国家重点实验室;全球能源互联网(山东)协同创新中心;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)(2015AA033302) 国家自然科学基金(51321091,51502156)~~
【分类号】：TN304
【正文快照】： (1.State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China;2.Collaborative Innovation Centerfor Global Energy Interconnection(Shandong),Jinan 250061,China)碳化硅(Si C)作为第三代半导体材料的代表,相对于常见的Si和Ga As等半导体材料,

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本文编号：1329811