用热反射测温技术测量GaNHEMT的瞬态温度

发布时间：2017-12-25 19:30

  本文关键词：用热反射测温技术测量GaNHEMT的瞬态温度　出处：《半导体技术》2016年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：利用具备亚微米量级空间分辨率和纳秒级时间分辨率的热反射测温技术对工作在脉冲偏置条件下的CGH4006P型Ga N HEMT进行了瞬态温度检测。测量了Ga N器件表面栅极、漏极和源极金属各部位在20μs内的瞬态温度幅度、分布及变化速度等数据。栅极、漏极和源极的温度幅度有着非常明显的差距,器件表面以栅为中心呈现较大的温度分布梯度。器件表面栅金属温度变化幅度最高、变化速度最快,其主要温度变化发生在5μs之内。经过仔细分析,器件各部位温度差异的主要原因是器件的传热方向、不同区域与发热点的距离。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN386
【正文快照】： 0引言第三代半导体器件Ga N高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)具备较高的功率密度,同时具有较强的自热效应,在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论,器件的工作温度、性能及可靠性有着极为密切的联系,因此准确检测Ga N HEMT

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本文编号：1334158