MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展

发布时间：2017-12-31 06:05

  本文关键词：MIS结构降低源漏极接触电阻的研究进展　出处：《电子元件与材料》2016年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：介绍了降低金属氧化物半导体场效应晶体管中金属/半导体接触电阻的一种新型的方法,在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体(metal-interfacial layer-semiconductor,MIS)结构以降低金属/半导体接触电阻。回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的基础物理模型与计算模拟的方法,总结了MIS结构实验研究的最新进展,讨论了MIS结构的局限性与不足之处,并展望了MIS结构在未来的发展方向。
[Abstract]:A new method for reducing metal / semiconductor contact resistance in metal oxide semiconductor field effect transistors is introduced. A thin layer of dielectric is inserted between the metal and the semiconductor to form metal-interfacial layer-semiconductor. The process development and trend of reducing contact resistance are reviewed, and the basic physical model and computational simulation method of MIS structure are reviewed. This paper summarizes the latest progress in the experimental research of MIS structure, discusses the limitations and shortcomings of MIS structure, and looks forward to the future development of MIS structure.
【作者单位】： 上海交通大学材料科学与工程学院;中芯国际集成电路制造有限公司技术研究与发展中心;
【分类号】：TN386
【正文快照】： 心,上海201203)集成电路产业自诞生之日起就在不断追求器件更高密度的集成,在过去的近50年时间里,集成电路技术基本上一直遵循着摩尔定律快速发展。当前最先进的集成电路制造工艺已经达到了14/16 nm技术代,集成电路芯片的核心器件——金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxid

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本文编号：1358466