Si基中短波双色HgCdTe材料生长及表征

发布时间：2018-01-03 17:41

本文关键词：Si基中短波双色HgCdTe材料生长及表征　出处：《激光与红外》2017年05期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展。基于现有Si基中波、短波HgCdTe材料工艺基础,开发获得了Si基中短波双色HgCdTe材料的生长工艺。使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料生长工艺。获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料。
[Abstract]:In this paper, the latest progress in molecular beam epitaxy (MBE) of mercury cadmium telluride (HgCdTe) is reported, based on the technological basis of Si based medium wave and short wave HgCdTe materials. The growth process of short wave and double color HgCdTe materials on Si substrate was developed and the growth process was monitored on-line by reflection high energy electron diffraction analysis. The growth process of medium and short wave bicolor HgCdTe based on Si substrate was optimized, and a medium and short wave double color HgCdTe material with good crystal quality was obtained.
【作者单位】：华北光电技术研究所;
【分类号】：TN215
【正文快照】： 1引言在现代战场上,红外成像系统在越来越多的武器系统中得到了应用。随着红外探测技术的不断发展,红外隐身技术也在不断提高,通过使在特定波段上目标与环境背景具有相似的发射率,从而导致红外目标对比度的下降,难以识别。地球大气中的红外辐射窗口有1~2.5μm,3~5μm和8~14μm

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