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GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面(英文)

发布时间:2018-01-04 23:17

  本文关键词:GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面(英文) 出处:《红外与毫米波学报》2017年02期  论文类型:期刊论文


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【摘要】:系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1.
[Abstract]:The effect of the change of Sb / Ga ( V / III ) ratio on the surface quality of thin films was systematically studied with the decrease of the growth temperature of GaSb films . In order to obtain GaSb epitaxial layer with good surface morphology , the growth temperature and V / III ratio need to be reduced simultaneously . When the cleavage temperature of Sb source is 900 鈩,

本文编号:1380540

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