K波段低噪声集成片上CMOS接收前端设计

发布时间：2018-01-05 04:22

  本文关键词：K波段低噪声集成片上CMOS接收前端设计　出处：《北京理工大学学报》2017年03期 　论文类型：期刊论文

  更多相关文章： K波段 接收前端 低噪声放大器 下变频混频器 CMOS

【摘要】：基于TSMC 90nm CMOS工艺,设计实现K波段片上集成CMOS接收前端.接收前端由两级差分共源共栅结构低噪声放大器、双平衡吉尔伯特单元结构下变频混频器组成.射频输入、本振输入以及模块间采用片上巴伦进行匹配.测试结果表明,在射频输入频率23.2GHz时,转换增益为27.6dB,噪声系数为3.8dB,端口隔离性能良好,在电源电压为1.2V下,功耗为35mW,芯片面积为1.45×0.60mm~2.
[Abstract]:TSMC 90nm based on CMOS technology, the design and implementation of K band on chip CMOS receiver. The receiver front-end consists of two differential cascode low noise amplifier, double balanced Gilbert cell mixer structure. The RF input, the vibration input and between modules using on-chip balun matching. Experimental results show that in RF input frequency 23.2GHz, conversion gain of 27.6dB, noise figure of 3.8dB, port isolation performance is good, the supply voltage is 1.2V, power consumption is 35mW, the chip area is 1.45 * 0.60mm~2.

【作者单位】： 北京理工大学信息与电子学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61301006,61271113)
【分类号】：TN432
【正文快照】： 无线通信系统的应用逐渐深入到工业生产和日常生活中.随着应用背景的多样化和应用性能的高端化,无线通信系统的设计指标日趋严格.系统中关键部分的设计也成为全面提高系统指标,实现小型化、集成化、低功耗、低成本等需求的关键因素.由于从天线上接收到的信号较为微弱,射频接收，

本文编号：1381560