集成运算放大器的中子辐照损伤效应研究

发布时间：2018-01-05 18:02

  本文关键词：集成运算放大器的中子辐照损伤效应研究　出处：《核电子学与探测技术》2016年07期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：论文针对双极型运算放大器的中子辐照损伤效应开展实验与理论研究。从双极型器件的中子辐照损伤机理出发,考虑器件电流增益随中子注量的退化,对集成运放的偏置电流、开环增益、共模抑制比与电源抑制比等敏感参数展开试验与理论研究。基于中子辐照损伤系数,针对集成运放中敏感参数随中子注量的退化进行仿真研究,并通过电路敏感性分析明确运放中子辐照损伤的敏感器件与敏感单元。
[Abstract]:In this paper, the neutron radiation damage effect of bipolar operational amplifier is studied experimentally and theoretically. Based on the neutron radiation damage mechanism of bipolar device, the degradation of device current gain with neutron flux is considered. The sensitive parameters such as bias current, open-loop gain, common-mode rejection ratio and power supply rejection ratio of the integrated operational amplifier are studied experimentally and theoretically. The sensitive parameters of integrated operational amplifier are simulated with the degradation of neutron flux, and the sensitive devices and sensitive elements of neutron irradiation damage in operational amplifier are determined by circuit sensitivity analysis.
【作者单位】： 广东工业大学信息工程学院;工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室;
【分类号】：TN722.77
【正文快照】： 第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广东广州510610)随着空间科学和航天技术的迅速发展,双极型器件与线性电路被广泛应用于航空航天、军事设备及核反应堆等具有强辐射性的环境[1]。在高能辐射环境下,中子入射将在半导体材料的带隙中引入一个或多个能级稳

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本文编号：1384206