一种快速瞬态响应、高效率、高稳定性LDO芯片的设计
本文关键词：一种快速瞬态响应、高效率、高稳定性LDO芯片的设计 出处：《电子科技大学》2015年硕士论文 论文类型：学位论文
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【摘要】：电源管理芯片是当今电子系统中的重要组成部分,目前电源管理电路正在向着高功率密度、高转换效率、高集成度的方向发展。低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)具有低噪声、低成本、应用简单、可靠性高等优点,一直是电源管理领域的重要组成部分。LDO具有输出电压无纹波的特点,非常适合应用于模拟电路、射频电路等低噪声场合,目前LDO越来越多的被应用在移动电子设备中。本文围绕LDO的性能指标、频率稳定性、瞬态响应及其改进方式等方面对LDO进行了研究。然后设计了一款快速瞬态响应、高效率、高稳定性LDO芯片,最后对该LDO芯片整体电路进行了软件仿真。本论文首先介绍了LDO的各组成部分和工作原理,同时总结了LDO各项性能指标,以及它们各自所代表的含义和计算表达式,在此基础上介绍了各组成部分对LDO性能指标的影响,进而得出在LDO设计中应该如何对各项性能指标进行折中考虑。本论文研究了普通LDO零极点的分布情况,介绍了传统频率补偿方法以及后来发展出的新型补偿方法。接着对LDO的负载瞬态响应进行了详细介绍,分析了负载瞬态响应的影响因素,同时介绍了一些提高瞬态响应性能的方法。本文设计的快速负载瞬态响应LDO基于TSMC的0.5μmCMOS工艺。文章首先设计了LDO的各个模块,然后对稳压环路进行了补偿,采用了一种大驱动能力的缓冲级来提高LDO的瞬态响应速度。软件仿真结果显示,在最大负载电流为500mA的情况下压降仅为200 mV,当输出电容为10μF、负载电流在1μs内满负载跳变时,输出电压过冲值在21 mV以内,最大下冲的恢复时间在15μs以内,最大负载电流条件下的静态电流为111μA,最大电流效率为99.97%,满足设计要求。
[Abstract]:This paper studies the performance index , frequency stability , transient response and improvement of LDO . At the same time , it introduces the performance index , frequency stability , transient response and improvement of LDO . At the same time , it introduces the performance index , frequency stability , transient response and improvement of LDO .
【学位授予单位】：电子科技大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：TN402
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，本文编号：1396268
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