片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

发布时间：2018-01-08 11:37

本文关键词：片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺　出处：《红外与毫米波学报》2017年02期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106Ω·cm量级.剥离半绝缘GaAs(SI-GaAs)衬底层与Al_(0.9)Ga_(0.1)As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物(COP)键合的结构.原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)为2.28 nm,EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分,满足光刻形成光电导开关的要求.
[Abstract]:Provides a realization of on-chip antenna integrated device of THz photoconductive switch materials at low temperature GaAs (LT-GaAs) epitaxial layer transfer process, using HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7 - H_2O solution -H_2O_2-HCl corrosion system of chemical wet etching of molecular beam epitaxy (MBE) epitaxial material growth, Hall test showed that the resistivity of MBE epitaxial materials grown in 106. Cm. The magnitude of stripping semi insulating GaAs. (SI-GaAs) substrate layer and Al_ (0.9) Ga_ (0.1) As sacrificial layer to obtain 1.5 m LT-GaAs (COP) and cyclic olefin polymer bonded structures. Atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), high power microscope morphology characterization showed that the structure of smooth surface after stripping the smooth surface roughness (RMS) of 2.28 nm, EDAX energy spectrum analysis shows that the structure does not contain Al components, meet the lithographically formed photoconductive switch requirements.

【作者单位】：中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室;西安交通大学;中国科学院大学;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;中国科学院半导体研究所固态光电子信息技术实验室;首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(11204190,61274125) 北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201610028005) 科技部“国家重大科学仪器设备开发专项”基金(2012YQ14005)~~
【分类号】：TN304.23
【正文快照】： 郭春妍1,2,3,徐建星3,4,彭红玲5,倪海桥4,汪韬1,田进寿1,牛智川4*,吴朝新2,左剑6,张存林6(1.中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室,陕西西安710119;2.西安交通大学,陕西西安710049;3.中国科学院大学,北京100049;4.中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实

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