GaSb单晶片CMP工艺的研究

发布时间：2018-01-09 02:18

  本文关键词：GaSb单晶片CMP工艺的研究　出处：《微纳电子技术》2017年11期 　论文类型：期刊论文

  更多相关文章： GaSb 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 pH值 氧化剂

【摘要】：主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响。通过实验得出,最终在pH值为8且使用NaClO作为氧化剂的条件下,得到平整度较好、表面缺陷少、表面粗糙度低的高质量抛光表面的GaSb单晶片。通过微分干涉显微镜观察抛光后的单晶片表面无明显缺陷。经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.257 nm。
[Abstract]:The chemical mechanical polishing (CMP) of GaSb monocrystalline wafer was studied. The CMP experiment of GaSb single crystal chip after cutting and mechanical polishing was carried out by using silica sol as polishing liquid. The effects of different oxidant incorporation and different pH value of polishing liquid on the surface of GaSb single crystal wafer were studied by adjusting the technological parameters such as the ratio of polishing liquid and pH value. Finally, when pH is 8 and NaClO is used as oxidant, the smoothness is better and the surface defect is less. GaSb single crystal wafer with low surface roughness and high quality polishing surface. The surface of polished single crystal wafer was observed by differential interference microscope without obvious defects. AFM was measured by atomic force microscope (AFM). The surface roughness of single crystal wafer is 0.257 nm.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第四十六研究所;
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 0引言GaSb是一种多用途的Ⅲ-Ⅴ型半导体材料,GaSb与其他半导体材料的异质结在近红外激光器、发光二极管、大气污染探测器、热-光电设备以及波长2~5μm及8~14μm的光电探测器上表现出了良好的应用前景[1-2]。此外,GaSb的晶格常数使它非常适于作为AlGaIn和AsSb等三元或四元Ⅲ-Ⅴ

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本文编号：1399608