外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响

发布时间：2018-01-09 15:30

本文关键词：外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响　出处：《量子电子学报》2017年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。
[Abstract]:Under the effective mass approximation, the variation of exciton binding energy in InAlAs/InPBi/InAlAs quantum well with the Bi component of Al component in the well width is calculated by using the variational method. The effect of external electric field and magnetic field on the exciton binding energy is analyzed. The results show that the exciton binding energy increases first and then decreases with the increase of well width. The exciton binding energy increases gradually with the increase of the Al _ (2 +) Bi component. The small applied electric field has little effect on the exciton binding energy, and the exciton effect is destroyed when the applied electric field is large. The exciton binding energy increases monotonously with the increase of the applied magnetic field. The calculated results are helpful for the application of InAlAs/InPBi/InAlAs quantum wells in optoelectronic devices.
【作者单位】：曲阜师范大学物理工程学院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金,61205055 山东省自然科学基金,ZR2014FM011 信息功能材料国家重点实验开放课题,SKL201307~~
【分类号】：O471.1
【正文快照】： 1引言近年来,低维半导体结构在光电子和微电子领域应用广泛,一直是人们研究的热点?。随着原子逐层沉积的分子束外延(MBE)及金属有机化学汽相沉淀(MOCVD)等纳米技术的发展,人们可以制造各种形状的低维半导体异质结构,其中董子阱结构因为在光电器件中的应用被广泛关注和研究[7

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