应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计

发布时间：2018-01-10 05:26

  本文关键词：应用于4G的两级BiCMOS射频功率放大器设计　出处：《微电子学与计算机》2016年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：设计一个基于SiGe BiCMOS工艺的共源共栅结构的两级功率放大器.第一级采用差分共源放大器,将输入匹配送来的信号进行预放大,同时抑制噪声.第二级主功放采用BiFET共源共栅结构,以提高线性度.基于JAZZ0.18μm SiGe BiCMOS工艺库,采用Cadence Spectre RF对功率放大器进行仿真.实验结果表明,在3.3V电源电压下,最高功率增益达到32dB,输出1dB压缩点处功率为29dBm,有较好地线性度,在2.3~2.7GHz频段内S11和S22均小于-10dB,匹配良好.最大功率附加效率为22.1%,可用于WIMAX无线通信的2.3~2.7GHz频段.
[Abstract]:A two stage power amplifier based on SiGe BiCMOS technology is designed. In the first stage, the input matching signal is preamplified by differential common source amplifier. At the same time, the noise is suppressed. The second stage of the main amplifier adopts the BiFET common-gate structure to improve the linearity. It is based on the JAZZ0.18 渭 m SiGe BiCMOS process library. Cadence Spectre RF is used to simulate the power amplifier. The experimental results show that the maximum power gain reaches 32dB at 3.3 V power supply voltage. The output power at 1dB compression point is 29dBm.The linearity is good. Both S11 and S22 are less than -10dB in the frequency band of 2.3 ~ 2.7GHz. The maximum power addition efficiency is 22.1GHz, which can be used in WIMAX wireless communication at 2.3Gz2.7GHz.
【作者单位】： 重庆邮电大学光电工程学院;
【分类号】：TN722.75
【正文快照】： (College of Electronics Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,China)1引言现代3G/4G/WLAN通信协议采用了具有高峰均功率比(PAPRs)的对频谱利用率高的调制方案,以获得高数据传输速率,且能抵御多径衰减的影响.这些非恒定的包

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