石墨烯对多孔硅光学性能的影响

发布时间：2018-01-10 09:05

  本文关键词：石墨烯对多孔硅光学性能的影响　出处：《微纳电子技术》2017年09期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：采用电化学腐蚀法,通过改变腐蚀电流密度制备出不同孔径的多孔硅衬底。通过荧光分光光度计对多孔硅进行光致发光性能测试,测试结果发现腐蚀电流密度会对其光致发光性能产生影响,当腐蚀电流密度为30 mA/cm~2时,制备出的多孔硅光致发光性能较好。通过湿法转移法将化学气相沉积(CVD)法制备出的石墨烯转移到多孔硅表面,利用喇曼光谱对石墨烯进行质量及层数检测。通过荧光分光光度计及傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对复合材料进行表征。结果表明石墨烯可以改变多孔硅表面态,使多孔硅的光致发光性能得到极大的提高。研究成果为多孔硅应用到光学传感器中提供了新的研究方向。
[Abstract]:Porous silicon substrates with different pore sizes were prepared by electrochemical etching method and the photoluminescence properties of porous silicon were measured by fluorescence spectrophotometer. The results show that the corrosion current density will affect the photoluminescence performance, when the corrosion current density is 30 Ma / cm ~ 2:00. The photoluminescence properties of the prepared porous silicon are good. The graphene prepared by chemical vapor deposition (CVD) method is transferred to the surface of porous silicon by wet transfer method. The quality and layer number of graphene were measured by Raman spectroscopy. FTIRs were measured by fluorescence spectrophotometer and Fourier transform infrared spectrometer (FTIR). The results show that graphene can change the surface state of porous silicon. The photoluminescence properties of porous silicon have been greatly improved. The research results provide a new research direction for the application of porous silicon in optical sensors.
【作者单位】： 江苏大学微纳米科学技术研究中心;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11404146)
【分类号】：TN304.12;TQ127.11
【正文快照】： 0引言多孔硅是硅片经过表面处理所得到的产物,其不仅兼具硅原有的性能还具有其他良好的性能如较大的比表面积,在室温下有良好的光学性能,因此多孔硅可以应用到MEMS和太阳电池中[1]。但是多孔硅的光致发光性能易受到其表面态影响,其光学性能的不稳定会导致光学器件的失效。影响

【参考文献】

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【共引文献】

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