利用合金低温生长晶体硅的研究进展

发布时间：2018-01-10 12:30

  本文关键词：利用合金低温生长晶体硅的研究进展　出处：《材料导报》2017年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：基于光伏行业对低成本晶体硅材料的巨大需求,晶体硅低温生长技术逐渐受到人们的青睐。该技术是在低温下将硅与低熔点金属进行共熔化处理,结合液相外延、合金定向凝固等技术生长、制备晶体硅。首先阐述了晶体硅低温制备原理,并对其生长行为、受控因素和应用现状进行综述,指出了目前各自存在的问题与难点,最后对下一阶段晶体硅生长技术的研究重点和发展前景进行了展望。
[Abstract]:Due to the huge demand of the photovoltaic industry for low-cost crystalline silicon materials, the cryogenic growth technology of crystalline silicon is gradually favored by people. The technology is to co-melt silicon with low melting point metal at low temperature. In combination with liquid phase epitaxy (LPE) and directional solidification of alloys, crystal silicon is prepared. Firstly, the low temperature preparation principle of crystalline silicon is introduced, and its growth behavior, controlled factors and application status are reviewed. The existing problems and difficulties are pointed out. Finally, the research emphasis and development prospect of crystal silicon growth technology in the next stage are prospected.
【作者单位】： 北京科技大学冶金与生态工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51334002;51274034;51404019) 中国博士后科学基金(2015M580985)
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 0引言自1948年美国贝尔实验室Ohl研究员[1]申报了光敏硅器件专利以来,硅太阳能电池的制备和性能都取得了巨大进步。时至2014年,以单晶、多晶硅材料为主的硅材料太阳能电池占据94%的光伏市场份额,成为目前应用最广泛的光伏器件。而与此同时,硅太阳能电池的制作成本也在逐年下降

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本文编号：1405309