混合极性GaN基HEMT中2DEG性能分析

发布时间：2018-01-10 20:06

  本文关键词：混合极性GaN基HEMT中2DEG性能分析　出处：《真空科学与技术学报》2017年04期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：综合镓极性(Ga-polar)和氮极性(N-polar)GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)上的欧姆接触特性,提出了一种混合极性的GaN基HEMT结构。通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,分析了该混合极性GaN基HEMT结构中的二维电子气(2DEG)行为特性,从而为该混合极性HEMT结构的实际应用提供了理论参考。仿真结果表明N-polar AlGaN背势垒的Al组分较其厚度对2DEG的影响更为明显,而将N-polar AlGaN背势垒的Al组分渐变后,可以降低寄生沟道对主沟道2DEG的影响,AlN插入层的引入也可进一步提高2DEG面密度、迁移率及其限阈性。
[Abstract]:In this paper , a GaN - based HEMT structure with mixed polarity is proposed based on the ohmic contact characteristics of Ga - polar and N - polar GaN - based high electron mobility transistors ( HEMT ) .

【作者单位】： 石家庄学院物理与电气信息工程学院;河北工业大学信息工程学院;
【基金】：河北省科技计划项目(15210606) 河北省高等学校科学技术研究项目(Z2017140)
【分类号】：TN386
【正文快照】： *联系人:E-mail:wswxb8@163.comGa N基材料在微电子、光电子等应用领域以宽禁带、高击穿电场、高饱和电子漂移速度等材料特征备受研究者关注,与Si C等材料一起并称为最有前途的“第三代半导体材料”,成为目前全球半导体研究的前沿与热点[1-3]。由于纤锌矿结构的Ga N缺少中心反

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本文编号：1406602