化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

发布时间：2018-01-11 04:03

  本文关键词：化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究　出处：《红外与激光工程》2016年12期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征,认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨颗粒直径的15~20倍。通过少子寿命表征和光导器件性能的对比测试,认为将该亚表面损伤层完全去除后,材料的少子寿命和器件的光电性能会得到明显的提高。
[Abstract]:The damage layer of HgCdTe was studied by chemical and mechanical polishing process. The surface of HgCdTe after etching was characterized by elliptical polarization spectroscopy. It is considered that the depth of the subsurface damage layer caused by the chemical mechanical polishing process is about 1520 times the diameter of the abrasive particles used in the polishing process. The minority carrier lifetime characterization and the comparative testing of the properties of the photoconductive devices are carried out. It is considered that the minority carrier lifetime of the material and the photoelectric performance of the device will be obviously improved after the subsurface damage layer is completely removed.
【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;中国科学院大学;山东大学信息科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(11304335)
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 0引言化学机械抛光是当今半导体器件制备中一项重要的工艺内容[1]。化学机械抛光引入的材料亚表面损伤层厚度一直是研究人员所关注的问题[2],因为它直接影响到抛光工艺的稳定性和最终器件的成品率。Hg Cd Te光导探测器由于工艺简单成本较低,在红外探测器领域仍然有着重要的研

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本文编号：1408012