高温存储下不同成分Sn-Pb凸点可靠性研究

发布时间：2018-01-12 05:29

  本文关键词：高温存储下不同成分Sn-Pb凸点可靠性研究　出处：《电子技术应用》2017年01期 　论文类型：期刊论文

  更多相关文章： 倒装焊 Sn-Pb凸点 高温存储 可靠性

【摘要】：随着我国集成电路封装密度的不断提高,引线键合方式已无法满足需求,倒装焊技术逐渐成为高密度封装主流方向。高温存储对倒装焊凸点的可靠性有着重大影响,界面化合物及晶粒形态均会发生显著变化。以多种SnPb凸点为研究对象,分析高温存储对凸点可靠性的影响,结果表明:10Sn90Pb凸点剪切强度波动幅度较小;Sn含量越高,高温存储后焊料界面处IMC层越厚,63Sn37Pb焊料界面IMC变化最为明显;63Sn37Pb凸点IMC生长速度较快,晶粒粗化现象较为严重。
[Abstract]:With China's IC packaging density increasing, wire bonding has been unable to meet the demand, the flip chip technology has gradually become the mainstream direction. High density packaging has a significant impact on high-temperature storage reliability of flip chip bump, interfacial compound and grain morphology will produce obvious changes. In a variety of SnPb bumps on analysis of the influence of high temperature object, storing the bump reliability results show: 10Sn90Pb bump shear strength fluctuation amplitude is smaller; the content of Sn is higher, after high temperature storage at IMC solder interface layer is thicker, 63Sn37Pb solder interface IMC the most obvious changes; 63Sn37Pb bump IMC growth speed, the grain coarsening phenomenon is more serious.

【作者单位】： 北京微电子技术研究所;
【分类号】：TN405
【正文快照】： 0引言倒装焊技术由于芯片引出端采用面阵列排布方式,具有信号传输距离短、高密度、高频性能优异、低串扰和高可靠等特点,是解决高密度先进封装最为有效的途径之一,已经广泛应用于高密度集成电路封装中。倒装焊工艺中,首先在芯片引出端焊盘上制备凸点,然后使芯片翻转,并与外壳

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本文编号：1412916