多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法

发布时间：2018-01-12 23:17

  本文关键词：多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法　出处：《电力电子技术》2017年09期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：为解决大功率高频串联谐振逆变器中多管并联碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动电路存在的串扰问题,分析了驱动电路串扰问题产生的机理和常用驱动串扰抑制方法,优化了驱动电路结构和器件参数,设计了一种具有串扰抑制作用的多管并联SiC MOSFET驱动电路。搭建了一台SiC MOSFET高频H桥串联谐振逆变电源样机,对驱动电路进行了相关测试,验证了所设计的驱动电路可有效抑制串扰。
[Abstract]:In order to solve the high-power high-frequency series resonant inverter in parallel multi silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) crosstalk circuit has driven, analyzes the mechanism of driving circuit crosstalk and common driving interference suppression methods, optimization of the drive circuit structure and parameters, a crosstalk suppression effect multiple parallel SiC MOSFET drive circuit design. Build a SiC MOSFET high frequency H bridge series resonant inverter prototype, the drive circuit of the relevant test, verify the design of the driving circuit can effectively suppress the crosstalk.

【作者单位】： 保定四方三伊电气有限公司;华北电力大学电力工程系;
【基金】：河北省重大科技成果转化项目(15044503Z)~~
【分类号】：TN386
【正文快照】： ,i叫·丨. .*l引言近年来,随着现代电力电子产品在容量和频率方面的不断提高,硅功率器件耐压低、损耗大和载流量小等特性对其发展产生了严重制约。作为一种新型宽禁带半导体材料,SiC功率器件因其出色的高频高压等特性,被广泛应用于现代电力电子产品中[1]。大功率固态高频感应

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本文编号：1416433