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低功耗高精度全CMOS基准源的设计

发布时间:2018-01-14 07:42

  本文关键词:低功耗高精度全CMOS基准源的设计 出处:《电子世界》2016年24期  论文类型:期刊论文


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【摘要】:基于华大九天EDA工具以及CSMC_0.18um工艺设计了一种适用于低功耗So C系统的高精度电压基准模块。电路后仿真结果表明,此电路在1.8V电源电压下,-40~125℃的温度系数为14.47ppm/℃,基准电压源输出电压约为564m V,27℃时静态电流约为402n A,电路总静态功耗约为724n W(包含启动电路),1k Hz时的电源抑制比为-39.55d B,电源上电后,电路能够快速启动,电路版图面积(不包含外围PAD)仅为0.0045mm~2。
[Abstract]:High precision voltage reference module based on hes EDA tools and CSMC_0.18um technology is designed for low power So C system. The simulation results show that the circuit, this circuit in 1.8V power supply, the temperature coefficient of -40~125 DEG 14.47ppm/ DEG C, reference voltage source output voltage is about 564m V, 27 C the static current is about 402n A, the total circuit static power consumption is about 724n W (including the start circuit), power supply 1K Hz when the suppression ratio is -39.55d B, after power up, the circuit can be started quickly, the circuit layout area (not including the peripheral PAD) is only 0.0045mm ~2.

【作者单位】: 福州大学物理与信息工程学院;
【分类号】:TN432
【正文快照】: 0前言 在集成电路设计中,基准电压源随处可见,几乎所有的模拟和数字系统都需要用它来产生与温度变化、电源电压变化和工艺变化无关的直流电压。电压基准模块是绝大多数So C系统中必不可少的基础模块,用以提供不随PVT变化的电压或者电流。随着So C片上系统的发展,超大规模集成

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本文编号:1422669

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