TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究

发布时间：2018-01-15 14:29

本文关键词：TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究　出处：《微电子学与计算机》2016年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：随着集成电路复杂度的提高以及半导体制造工艺水平的不断发展,硅通孔(Through Silicon Via)TSV技术成为三维集成电路的一种主流互连技术,建立单个TSV的三维物理模型,通过回波损耗来分析不同物理参数和尺寸变化对信号传输性能的影响;利用硅通孔的参数提取模型对其进行RLC参数的提取,并建立等效的电路模型和故障电路模型.扫描频率在10GHz范围内,利用故障电路末端电压来分析故障的大小,同时通过最小二乘法拟合一条根植电压曲线来判断故障大小.
[Abstract]:With the increasing complexity of integrated circuits and the continuous development of semiconductor manufacturing technology. Silicon through Silicon Via)TSV technology has become a mainstream interconnection technology for 3D integrated circuits, and a 3D physical model of a single TSV is established. The influence of different physical parameters and sizes on the signal transmission performance is analyzed by echo loss. The RLC parameters are extracted by the parameters extraction model of the silicon through hole, and the equivalent circuit model and the fault circuit model are established. The scanning frequency is in the range of 10GHz. The fault size is analyzed by using the terminal voltage of the fault circuit, and the fault size is judged by fitting a root voltage curve by the least square method.
【作者单位】：桂林电子科技大学电子工程与自动化学院;桂林电子科技大学机电工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(51465013) 桂林电子科技大学研究生创新项目(GDYCSZ201443,GDYCSZ201480) 广西自动检测技术与仪器重点实验室主任基金(YQ15109) 广西研究生教育创新计划资助项目(YCSZ2014142)
【分类号】：TN405.97
【正文快照】： 1引言当前集成电路向着高性能、高密度、高集成化发展,三维堆叠提升了芯片的性能,减了面积和延迟,随着频率的升高,信号经过TSV互连结构传输后出现一定的衰减,甚至完全失真.然而三维集成电路还处于起步阶段,半导体制造工艺水平有限,TSV制作过程中会出现不可避免的缺陷.短路缺陷

【参考文献】