大功率半导体激光器可靠性研究和失效分析

发布时间：2018-01-17 00:01

  本文关键词：大功率半导体激光器可靠性研究和失效分析　出处：《发光学报》2017年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：对自主研发的975 nm波长的COS封装的大功率半导体单管激光器进行了10,12,14 A的电流步进加速应力试验,应用逆幂律模型和指数分布的理论对试验结果进行了分析,计算出在8 A的电流下,器件的平均寿命为28 999 h。研究了器件的失效形式和老化前后的温升、偏振度的变化,结果表明:失效形式主要有体内退化、腔面退化、与焊接有关的退化;老化后的器件的结温上升增多,偏振度下降10%左右。
[Abstract]:A high power semiconductor single-transistor laser packaged at 975nm wavelength of COS has been tested with a current step accelerated stress test of 10C 12C 14A. The experimental results are analyzed by using the inverse power law model and the theory of exponential distribution, and the current at 8A is calculated. The average lifetime of the device is 28 999 h. The changes of temperature rise and polarization degree before and after aging are studied. The results show that the main failure forms are internal degradation and cavity surface degradation. Welding related degradation; After aging, the junction temperature increased and the degree of polarization decreased about 10%.
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;
【基金】：国家自然科学基金(61306057)资助项目~~
【分类号】：TN248.4
【正文快照】： 1引言随着大功率半导体激光器的材料、工艺与各类相关技术的发展与进步,大功率半导体激光器已经发展到一个相对来说较为成熟的阶段,成为光电子技术的核心器件之一。目前,大功率半导体激光器广泛应用于光盘存储、光纤通信、光纤传感、激光显示、固体激光器泵浦等领域[1],对于大

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本文编号：1435380