双面研磨蓝宝石衬底面形及表面粗糙度变化过程的实验研究

发布时间：2018-01-21 16:35

  本文关键词： 蓝宝石 双面研磨 面形精度 粗糙度 去除量　出处：《现代制造工程》2017年09期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：双面研磨作为蓝宝石衬底加工中的一道重要工序,主要目的是去除晶片表面的线切痕,使晶片表面粗糙度均匀,同时提高晶片的面形精度,使其满足一定要求。通过开展双面研磨实验,研究蓝宝石晶片的面形精度(翘曲度Warp、弯曲度Bow及总厚度偏差TTV)和表面粗糙度Ra随材料去除厚度的变化规律。在双面研磨初始阶段,翘曲度迅速减小,弯曲度减小趋势较缓,总厚度偏差和表面粗糙度值则迅速增大;随着研磨的进行,翘曲度、总厚度偏差和表面粗糙度随材料去除厚度的增大变化不大,而弯曲度Bow则随材料去除厚度的增大而逐渐减小,达到一定程度后则趋于稳定。研究结果对优化蓝宝石晶片双面研磨加工工艺、提高蓝宝石晶片双面研磨加工精度和加工效率具有重要意义。
[Abstract]:Double-sided grinding is an important process in sapphire substrate processing, the main purpose is to remove the linear cut marks on the wafer surface, make the surface roughness of the wafer uniform, and improve the surface shape accuracy of the wafer at the same time. The precision of sapphire wafer (Warp) was studied by double-sided grinding experiment. The variation of bending degree Bow and total thickness deviation (TTV) and surface roughness Ra with the material removal thickness. In the initial stage of double-sided grinding, the warpage decreases rapidly and the bending decreases slowly. The total thickness deviation and surface roughness increase rapidly. With the grinding, the warpage, total thickness deviation and surface roughness change little with the increase of the material removal thickness, while the bending degree Bow decreases gradually with the material removal thickness increasing. The results are of great significance to optimize the processing technology of sapphire wafer and improve the precision and efficiency of sapphire wafer double-sided grinding.
【作者单位】： 华侨大学制造工程研究院;福建晶安光电有限公司;
【基金】：国家自然科学基金-海峡联合基金重点项目(U1305241) 华侨大学中青年教师科研提升资助计划项目(Z14J0009);华侨大学引进高层次人才科研启动费项目(12BS203);华侨大学研究生科研创新能力培育计划资助项目
【分类号】：TN305
【正文快照】： 0引言目前蓝光LED(发光二极管)使用的半导体材料主要是Ga N,而Ga N薄膜的质量影响着器件的相关性能,这使得Ga N薄膜的生长技术成为了关键,高质量的Ga N薄膜是影响LED发展的核心技术。由于单晶Ga N的制备非常困难,现在还没有单晶Ga N可以进行同质外延生长Ga N薄膜[1]。能商用化

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本文编号：1452002