增强型GaN功率器件及集成技术

发布时间：2018-01-24 21:43

  本文关键词： 功率器件 氮化镓 增强型 集成技术　出处：《电力电子技术》2017年08期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2 V以上、击穿电压1 200 V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1 V、击穿电压350 V以上、输出电流10 A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件。同时基于栅区域势垒层减薄技术,开发了GaN增强型/耗尽型(E/D)集成技术,并展示了采用E/D集成技术研制的51级GaN环形振荡器验证电路,集成了106只晶体管,级延时仅24.3 ps。
[Abstract]:In view of the development of gan power devices, the threshold voltage above 2 V was developed by using the barrier layer thinning technique in the gate region and the p-GaN gate structure. The groove gate structure with breakdown voltage above 1200 V and the threshold voltage 1.1 V, and the breakdown voltage above 350 V. The p-GaN gate structure enhanced GaN power device with output current above 10 A. based on the barrier layer thinning technology in the gate region, the GaN enhanced / depleted type E / D integration technology is developed. The verification circuit of 51-stage GaN ring oscillator developed by E / D integration technology is demonstrated. The circuit integrates 106 transistors and the stage delay is only 24.3 ps.
【作者单位】： 南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(61474101) 国家高技术研究发展计划(863)(2015AA033305)~~
【分类号】：TN303
【正文快照】： l引言传统电子设备中功率开关器件主要采用横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等Si功率器件。受材料特性自身制约,Si功率器件性能已无法获得进一步提升,也无法完全满足绿色能源新技术发展需要。GaN功率开关器件具有低的导通电阻和更高的工作频率,能满

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本文编号：1461098