基于RTD和HEMT的D触发器设计

发布时间：2018-01-25 17:39

本文关键词： 共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管单双稳态转换逻辑单元 D触发器　出处：《浙江大学学报(理学版)》2017年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：共振隧穿二极管(RTD)作为一种新的量子器件和纳米电子器件,具有负内阻、电路功耗低、工作频率高、双稳态和自锁等特性,可突破CMOS工艺尺寸的物理极限,在数字集成电路领域有更为广阔的发展空间.针对RTD的特性,采用3个RTD串联的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)和类SR锁存器,设计了基于RTD和HEMT(高电子迁移率晶体管)的D触发器.较于其他研究的D触发器,该D触发器能有效降低电路的器件数量和复杂度,且能抗S、R信号的延时差异干扰,具有更稳健的输出.
[Abstract]:As a new quantum device and nano-electronic device, the resonant tunneling diode (RTD) has the characteristics of negative internal resistance, low power consumption, high operating frequency, bistability and self-locking. It can break through the physical limit of CMOS process size, and has a broader development space in the field of digital integrated circuit, aiming at the characteristics of RTD. Three RTD series mono-bistable conversion logic units (MOBILE) and SR-like latch are used. A D-flip-flop based on RTD and HEMT (High Electron Mobility Transistor) is designed. Compared with other D flip-flop, the D-flip-flop can effectively reduce the number and complexity of the circuit, and can resist S. R signal delay differential interference, with more robust output.
【作者单位】：杭州师范大学国际服务工程学院;
【基金】：浙江省自然科学基金资助项目(LY15F010011) 国家自然科学基金资助项目(61771179,61471314,61271124)
【分类号】：TN783
【正文快照】： 0引言随着数字集成电路的快速发展,传统CMOS工艺尺寸不断减小,电路的集成度越来越高,同时也出现了一些由功耗和互连线等带来的问题,如热耗散、短沟道效应、量子力学效应等[1-3].共振隧穿二极管(resonant tunneling devices,RTD)作为一种新的量子器件和纳米电子器件,可以突破传

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