碳污染清洗工艺对极紫外光刻光学元件反射率的影响

发布时间：2018-01-26 04:48

本文关键词： 薄膜极紫外光刻碳污染清洗技术反射率　出处：《中国激光》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：极紫外光刻系统中的碳污染会降低多层膜反射率,在保证光学元件性能的前提下,如何选择碳清洗工艺是一项重要课题。通过对不同清洗工艺的原理分析,揭示了不同工艺对多层膜反射率的影响主要体现在膜层氧化、刻蚀及表面粗糙度劣化等方面。基于时域有限差分方法及总积分散射理论,研究了不同影响因素与多层膜反射率的关系。结果表明,膜层氧化及表面粗糙度劣化是导致多层膜反射率下降的主要因素,而刻蚀的影响相对较小。基于以上分析结果,射频氢等离子体及原子氢清洗技术,在去除光学元件表面沉积碳的同时,不会显著降低光学元件性能,可优先考虑采用。
[Abstract]:Carbon pollution in the extreme ultraviolet lithography system will reduce the reflectivity of multilayer films. How to select the carbon cleaning process is an important subject on the premise of ensuring the performance of optical elements. The principle of different cleaning processes is analyzed. It is revealed that the effects of different processes on the reflectivity of multilayer films are mainly reflected in the aspects of film oxidation, etching and surface roughness degradation, based on the finite-difference time-domain method and the total integral scattering theory. The relationship between different factors and the reflectivity of multilayer films is studied. The results show that oxidation and surface roughness deterioration are the main factors leading to the decrease of multilayer reflectivity. Based on the above analysis results, RF hydrogen plasma and atomic hydrogen cleaning technology can not significantly reduce the performance of optical elements while removing carbon deposition on the surface of optical elements. Priority may be given to adoption.
【作者单位】：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金(61404139) 国家科技重大专项(2012ZX02702001-005) 应用光学国家重点实验室自主基金(Y5743FQ158) 吉林省重点科技成果转化项目(20150307039GX)
【分类号】：TN23
【正文快照】： 光学元件在极紫外光(EUV)的辐照作用下会产生碳污染的现象[1]。真空腔内残余的气体分子,以及光刻胶与电子学元器件等释放出的有机物,在EUV光作用下会裂解产生游离碳,并吸附沉积在光学元件表面[2-5]。碳对EUV光有较强的吸收,光学元件的反射率会急剧下降。研究表明[6],如未采取

【参考文献】